Test TEMA 1 1. En relación a los tipos de materiales, señale la opción incorrecta:

1. En relación a los tipos de materiales, señale la opción incorrecta:

. a) Los metales presentan generalmente estructuras ordenadas con buena conductividad eléctrica y

. térmica.

. b) Los materiales cerámicos son, generalmente refractarios, de elevada dureza, frágiles y aislantes.

. c) Los materiales poliméricos presentan generalmente estructuras ordenadas, baja densidad y son

. aislantes.

2. En una celdilla cúbica, la dirección [110] es:

. a) Perpendicular al plano (110).

. b) Perpendicular al plano (101).

. c) Perpendicular al plano (011).

3. En un cristal cúbico, los índices de Miller de la línea de intersección de un plano (111) con otro (11¨1)

. son:

. a) [110].

. b) [¨110].

. c) [100].

4. Dadas las direcciones cristalográficas [100] y [001] en un sistema cúbico, señale la opción incorrecta:

. a) Ambas pertenecen a la misma familia de direcciones.

. b) Las dos están contenidas en el plano (010).

. c) Su producto vectorial es una dirección contenida en el plano (010).

5. En una celdilla cúbica, una cara del cubo tiene la designación:

. a) <011>.

. b) (100).

. c) (110).

6. ¿Cuantos miembros tendría la familia de direcciones <110> en el sistema cúbico?

. a) Doce.

. b) Seis.

. c) Diez.

7. La densidad teórica de un material consistente en un elemento puro puede calcularse si se conoce:

. a) Su fracción de empaquetamiento volumétrico, radio atómico y masa atómica.

. b) El tipo de estructura cristalina y su fracción de empaquetamiento volumétrico.

. c) El tipo de estructura cristalina y su masa atómica.

8. Un átomo situado en el vértice de una celdilla cúbica contribuye como:

. a) 1/4 para el recuento del número de átomos por celdilla.

. b) 1/6 para el cómputo de la fracción de empaquetamiento superficial del plano (11ô€´¤

1) de dicha celdilla.

. c) 1 en el cómputo de la fracción de empaquetamiento lineal en la dirección [100] de dicha celdilla.

9. En cuanto a las características de una estructura cristalina:

. a) La fracción de empaquetamiento superficial tiene unidades de átomos/m2.

. b) La concentración atómica se expresa en átomos/m3.

. c) La fracción de empaquetamiento volumétrico se expresa en m3.

10. Una de las estructuras cristalinas que sigue no es típica en los metales:

. a) Cúbica simple.

. b) Cubica centrada en las caras.

. c) Cubica centrada en el interior.

11. ¿Cuál es la relación entre el radio del átomo (r) y la arista de la celdilla (a) en la estructura CCI?

. a) a=4r/√2.

. b) a=2r/√3.

. c) a=4r/√3.

12. El área del plano (101) en una celdilla CCI es:

. a) 4/√3r2.

. b) (16/√3) r2.

. c) (16/√2r2)/3.

13. Entre las siguientes características, ¿Cuál no corresponde a una estructura CCI?

. a) Direcciones de máxima fracción de empaquetamiento lineal: <111>.

. b) 1 intersticio octaédrico por átomo.

. c) fv= 0.68.

14. Una dirección de máxima fracción de empaquetamiento lineal en la estructura CCI es:

. a) [100].

. b) [1¨10].

. c) [11¨1].

15. El área del plano (101) en una celdilla CCC es:

. a) 4/√3r2.

. b) 8/√2r2.

. c) (16/√2r2)/3.

16. En una estructura CCC, un plano de máxima fracción de empaquetamiento superficial es:

. a) (111).

. b) (101).

. c) (110).

17. Las estructuras cristalinas CCC y HC poseen:

. a) Igual número de coordinación y distinta fracción de empaquetamiento.

. b) Igual número de intersticios tetraédricos e igual fracción de empaquetamiento.

. c) Igual número de coordinación y distinto número de intersticios tetraédricos.

18. En relación con las celdillas CCC y HC, una de las siguientes afirmaciones es incorrecta:

. a) Los intersticios octaédricos son mayores que los tetraédricos.

. b) El número de intersticios tetraédricos es el doble que el de los octaédricos.

. c) Ambas se originan con apilamientos de secuencia ABCABC…

19. El número de coordinación presentado por metales que tiene una estructura de máxima fracción de

. empaquetamiento es:

. a) 8.

. b) 10.

. c) 12.

20. ¿Cuál de las parejas siguientes tiene una fracción de empaquetamiento de 0,74?

. a) CCI y CS.

. b) CCC y HC.

. c) CCC y CCI.

21. En una celdilla HC, la relación nº de intersticios octaédricos/nº de átomos es de:

. a) 0,5.

. b) 1.

. c) 2.

22. Una de las siguientes afirmaciones acerca de una celdilla HC es incorrecta:

. a) Tiene seis intersticios octaédricos.

. b) Tiene un intersticio tetraédrico por cada átomo.

. c) Tiene seis átomos por celdilla.

23. En relación a los intersticios de las estructuras cristalinas CCC, CCI, HC:

. a) Los octaédricos son siempre mayores que los tetraédricos.

. b) Los octaédricos resultan mayores que tetraédricos sólo en las estructuras de máxima fracción de empaquetamiento volumétrico.

. c) En la estructura CCI, sólo los intersticios tetraédricos presentan una forma no regular.

24. En relación a las estructuras cristalinas metálicas:

. a) Los materiales más deformables son aquellos que presentan planos de deslizamiento de menor fracción

. de empaquetamiento superficial.

. b) Los materiales con estructura cristalina HC suelen ser muy deformables.

. c) Los materiales con estructura cristalina CCC son más deformables que los de estructura CCI.

25. Si, en un sistema, con átomos de un único tipo, la relación entre el radio atomico y el parámetro de

. red es de √3/8, ¿Cuál sería el mayor número de atomos por celdilla posible de entre los indicados?

. a) 4.

. b) 8.

. c) 16.

26. Para incrementar la solubilidad de dos elementos en estado sólido resultan adecuadas las siguientes

. características, excepto una:

. a) Tamaños atómicos parecidos.

. b) La misma estructura cristalina.

. c) Dureza similar.

27. En una solución sólida sustitutiva puede suponerse que, aproximadamente:

. a) La densidad de la solución es igual a la del disolvente puro.

. b) El volumen de la solución es igual al del disolvente puro.

. c) Ninguna de las afirmaciones anteriores es correcta.

28. Las soluciones solidas de sustitución:

. a) Conservan la estructura cristalina del elemento con radio atómico mayor.

. b) Se ven favorecidas con distintas estructuras electrónicas de los elementos.

. c) De tipo ordenadas, se forman en la solidificación durante el enfriamiento lento del sólido.

29. En una solución sólida en la que el disolvente es hierro:

. a) Los átomos de H, B o Ni pueden actuar como átomos de soluto intersticiales.

. b) Los átomos de Ni pueden actuar como átomos de soluto sustitutivos y los de Cr, como átomos de soluto intersticiales.

. c) Los átomos de C o N pueden actuar como átomos de soluto intersticiales y los de Ni, como átomos de soluto sustitutivos.

30. El Fe, a temperatura ambiente, presenta una estructura CCI, mientras que, a 1000ºC, su estructura es

. CCC. Comparando el material a ambas temperaturas:

. a) A 1000 ºC, el Fe puede disolver una mayor cantidad de C debido a que presenta intersticios de mayor

. tamaño.

. b) A temperatura ambiente, el Fe puede disolver una mayor cantidad de C debido a que presenta una

. menor fracción de empaquetamiento.

. c) El Fe no puede disolver C debido a que ambos elementos tienen un tamaño atómico parecido.

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